TSV臭氧清洗常见工艺有哪些?
目前主要包括以下几类:
① 干法臭氧(Gas Ozone)
利用高浓度臭氧直接处理晶圆。
特点:
无化学废液
无金属离子污染
可在线集成
适用于预清洗

② 臭氧DI水(DIO₃)
臭氧溶于超纯水形成臭氧水。
优点:
清洗均匀
易进入微结构
有机物去除能力强
易与Megasonic结合
广泛用于:
TSV
MEMS
CMOS前段清洗
③ 臭氧+超纯水循环
利用循环臭氧水持续更新氧化能力。
适用于:
深孔
微孔
高密度Via
④ 臭氧+化学液联合
例如:
O₃ + DI Water
O₃ + HCl
O₃ + HF(受工艺控制)
O₃ + SC1
这种组合能够兼顾:
有机污染
金属污染
颗粒污染
但HF等酸液通常用于去除氧化层或特定污染,需严格控制工艺窗口,避免对后续结构造成影响。
臭氧浓度如何选择?
不同设备略有差异。
实验及量产设备通常采用:
工艺 | 推荐臭氧浓度 |
气相臭氧 | 100~300 g/Nm³ |
臭氧水 | 10~40 mg/L |
高要求工艺 | >200 g/Nm³ |
对于TSV前处理,更重要的是:
浓度稳定
流量稳定
温度稳定
曝光时间一致
而不是单纯追求最高浓度。
TSV臭氧清洗常见工艺有哪些?
臭氧作为氧化前驱体在原子层沉积中的优势分析
面向硅片预清洗的臭氧发生器优化方案
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